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タイトル: Investigation of deep levels in n-type 4H-SiC epilayers irradiated with low-energy electrons
著者: Danno, K
Kimoto, T  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
発行日: 2006
出版者: AMER INST PHYSICS
誌名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
巻: 100
号: 11
論文番号: 113728
URI: http://hdl.handle.net/2433/35905
DOI(出版社版): 10.1063/1.2401658
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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