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| タイトル: | Epitaxial growth of 4H-SiC{0001} and reduction of deep levels |
| 著者: | Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Wada, K Danno, K |
| キーワード: | silicon carbide (SiC) chemical vapor deposition surface polarity deep level impurity doping |
| 発行日: | 2006 |
| 出版者: | ACADEMIC PRESS LTD ELSEVIER SCIENCE LTD |
| 誌名: | SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES |
| 巻: | 40 |
| 号: | 4-6 |
| 開始ページ: | 225 |
| 終了ページ: | 232 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/35963 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/j.spmi.2006.06.021 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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