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| タイトル: | Hexagonal GaN grown on GaAs{11n} substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy using AlAs intermediate layers |
| 著者: | Funato, M    https://orcid.org/0000-0002-5455-3757 (unconfirmed)Yamamoto, S Kaisei, K Shimogami, K Fujita, S Fujita, S |
| 発行日: | 2001 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | APPLIED PHYSICS LETTERS |
| 巻: | 79 |
| 号: | 25 |
| 開始ページ: | 4133 |
| 終了ページ: | 4135 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/3614 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1426275 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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