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| タイトル: | Difference of anisotropic structures of InAs/GaAs quantum dots between organometallic vapor-phase epitaxy and molecular beam epitaxy |
| 著者: | Furukawa, Y Noda, S    https://orcid.org/0000-0003-4302-0549 (unconfirmed) |
| キーワード: | InAs/GaAs quantum dot organometallic vapor-phase epitaxy molecular beam epitaxy anisotropic structure |
| 発行日: | 2000 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 220 |
| 号: | 4 |
| 開始ページ: | 425 |
| 終了ページ: | 431 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/3631 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/S0022-0248(00)00879-4 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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