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| タイトル: | Vanadium ion implanted guard rings for high-voltage 4H-SiC Schottky rectifiers |
| 著者: | Hatayama, T Yoneda, T Nakata, T Watanabe, M Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | SiC Schottky rectifier edge termination guard ring vanadium ion implantation |
| 発行日: | 2000 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS |
| 巻: | 39 |
| 号: | 12A |
| 開始ページ: | L1216 |
| 終了ページ: | L1218 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/3818 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.39.L1216 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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