Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer

このアイテムのアクセス数: 0

http://hdl.handle.net/2433/3830

このアイテムのファイル:

このアイテムに関連するファイルはありません。

タイトル:	Composition, chemical structure, and electronic band structure of rare earth oxide/Si(100) interfacial transition layer
著者:	Hattori, T Yoshida, T Shiraishi, T Takahashi, K Nohira, H Joumori, S Nakajima, K https://orcid.org/0000-0002-5390-1262 (unconfirmed) Suzuki, M https://orcid.org/0000-0002-6473-9141 (unconfirmed) Kimura, K Kashiwagi, I Ohshima, C Ohmi, S Iwai, H
キーワード:	Rutherford back scattering photoelectron spectroscopy high-k dielectrics depth profiling electronic band structures
発行日:	2004
出版者:	ELSEVIER SCIENCE BV
誌名:	MICROELECTRONIC ENGINEERING
巻:	72
号:	1-4
開始ページ:	283
終了ページ:	287
URI:	http://hdl.handle.net/2433/3830
DOI(出版社版):	10.1016/j.mee.2004.01.005
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。