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|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_89_112117.pdf | 289.98 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | High-quality nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (11(2)over-bar20) substrate by molecular-beam epitaxy |
| 著者: | Horita, M Suda, J  Kimoto, T   https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| 発行日: | 11-Sep-2006 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | APPLIED PHYSICS LETTERS |
| 巻: | 89 |
| 号: | 11 |
| 論文番号: | 112117 |
| 著作権等: | Copyright 2006 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/39687 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.2352713 |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/89/112117 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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