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| ApplPhysLett_89_262107.pdf | 161 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Carrier concentration induced band-gap shift in Al-doped Zn1-xMgxO thin films |
| 著者: | Lu, JG Fujita, S    https://orcid.org/0000-0001-6384-6693 (unconfirmed)Kawaharamura, T Nishinaka, H Kamada, Y Ohshima, T |
| 発行日: | 25-Dec-2006 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | APPLIED PHYSICS LETTERS |
| 巻: | 89 |
| 号: | 26 |
| 論文番号: | 262107 |
| 著作権等: | Copyright 2006 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/39692 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.2424308 |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/89/262107 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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