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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| PhysRevB_63_165319.pdf | 470.86 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Formation mechanism and energy levels of GaN six-bilayer periodic structures grown on GaAs(001) |
| 著者: | Funato, M    https://orcid.org/0000-0002-5455-3757 (unconfirmed)Fujita, S https://orcid.org/0000-0001-6384-6693 (unconfirmed)Fujita, S https://orcid.org/0000-0001-6384-6693 (unconfirmed) |
| 発行日: | 15-Apr-2001 |
| 出版者: | AMERICAN PHYSICAL SOC |
| 誌名: | PHYSICAL REVIEW B |
| 巻: | 63 |
| 号: | 16 |
| 論文番号: | 165319 |
| 著作権等: | Copyright 2001 American Physical Society |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/39847 |
| DOI(出版社版): | 10.1103/PhysRevB.63.165319 |
| 関連リンク: | http://link.aps.org/abstract/PRB/v63/p165319 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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