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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| IEEE_TED_46_504.pdf | 160.34 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Effects of wet oxidation/anneal on interface properties of thermally oxidized SiO2/SiC MOS system and MOSFET's |
| 著者: | Yano, H Katafuchi, F Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| 発行日: | Mar-1999 |
| 出版者: | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
| 誌名: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| 巻: | 46 |
| 号: | 3 |
| 開始ページ: | 504 |
| 終了ページ: | 510 |
| 著作権等: | (c)1999 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/39983 |
| DOI(出版社版): | 10.1109/16.748869 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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