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| タイトル: | Behavior of hydrogen implanted into Si-implanted SiO2 |
| 著者: | Ikeda, M Mitsusue, R Nakagawa, M Kondo, S Imai, M   Imanishi, N |
| キーワード: | hydrogen-trapping thermal behavior implantation Si nanocrystal Si/SiO2 |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS |
| 巻: | 209 |
| 開始ページ: | 154 |
| 終了ページ: | 158 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4105 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/S0168-583X(02)02008-6 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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