AlAs/GaAs(001) as a template for c-oriented hexagonal GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy

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http://hdl.handle.net/2433/4259

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タイトル:	AlAs/GaAs(001) as a template for c-oriented hexagonal GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
著者:	Ishido, T Funato, M https://orcid.org/0000-0002-5455-3757 (unconfirmed) Hamaguchi, A Fujita, S https://orcid.org/0000-0001-6384-6693 (unconfirmed) Fujita, S https://orcid.org/0000-0001-6384-6693 (unconfirmed)
キーワード:	GaN AlAs GaAs hexagonal cubic MOVPE
発行日:	2000
出版者:	ELSEVIER SCIENCE BV
誌名:	JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
巻:	221
開始ページ:	280
終了ページ:	285
URI:	http://hdl.handle.net/2433/4259
DOI(出版社版):	10.1016/S0022-0248(00)00700-4
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

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