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rpcjpnv42p094.pdf | 1.56 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | Physico-chemical studies of platinum-silicon interfaces |
著者: | Shinoda, Daizaburo |
著者名の別形: | シノダ, ダイザブロウ |
発行日: | 30-Apr-1973 |
出版者: | The Physico-Chemical Society of Japan |
誌名: | The Review of Physical Chemistry of Japan |
巻: | 42 |
号: | 2 |
開始ページ: | 94 |
終了ページ: | 102 |
抄録: | Identifications of microscopic compositions in alloyed layers of heat-treated Pt-Si contacts and analysis of chemical kinetics of solid-solid reactions between Pt and Si have been carried out. The layer structure of the Pt-Si contact sequentially changes, through Pt-Pt_2Si-Si, Pt-Pt_2Si-PtSi-Si and Pt_2Si-PtSi-Si, into PtSi-Si during heat treatment at temperatures ranging from 200℃ to 700℃. The grown PtSi layer has the preferred crystallographic orientation in the [001] direction. The rate-determining process of the solid-solid reaction in the Pt-Si contact is the diffusion process of Si into Pt and/or platinum silicides. The rate constants are well represented by the following Arrhenius relationships: kp_t2Si=1.5×10^-3 exp (-24100/RT)cm^2/sec and kp_tSi=-2.5×10^-1 exp (-33900/RT)cm^2/sec. |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/46974 |
出現コレクション: | Vol.42 No.2 |

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