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| タイトル: | Surface morphological structures of 4H-, 6H- and 15R-SiC (0001) epitaxial layers grown by chemical vapor deposition |
| 著者: | Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Chen, ZY Tamura, S Nakamura, S Onojima, N Matsunami, H |
| キーワード: | silicon carbide surface morphology morphological defect step bunching AFM chemical vapor deposition |
| 発行日: | 2001 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS |
| 巻: | 40 |
| 号: | 5A |
| 開始ページ: | 3315 |
| 終了ページ: | 3319 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4856 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.40.3315 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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