このアイテムのアクセス数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
| タイトル: | High-voltage 4H-SiC Schottky barrier diodes fabricated on (03(3)over-bar8) with closed micropipes |
| 著者: | Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Fujimiza, K Shiomi, H Matsunami, H |
| キーワード: | silicon carbide Schottky barrier diode power device dislocation wide band-gap semiconductor |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS |
| 巻: | 42 |
| 号: | 1A-B |
| 開始ページ: | L13 |
| 終了ページ: | L16 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4857 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.42.L13 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。