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| タイトル: | Effects of C/Si ratio in chemical vapor deposition of 4H-SiC(11(2)over-bar0) and (03(3)over-bar8) |
| 著者: | Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Hashimoto, K Matsunami, H |
| キーワード: | silicon carbide chemical vapor deposition purity deep level non-basal plane |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS |
| 巻: | 42 |
| 号: | 12 |
| 開始ページ: | 7294 |
| 終了ページ: | 7295 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4858 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.42.7294 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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