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| タイトル: | Epitaxial growth of 4H-SiC(0 3 (3)over-bar 8) and control of MOS interface |
| 著者: | Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Hirao, T Fujihira, K Kosugi, H Danno, K Matsunami, H |
| キーワード: | silicon carbide epitaxy dislocation MOS interface channel mobility wide bandgap semiconductor |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | APPLIED SURFACE SCIENCE |
| 巻: | 216 |
| 号: | 1-4 |
| 開始ページ: | 497 |
| 終了ページ: | 501 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4859 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/S0169-4332(03)00457-4 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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