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| タイトル: | Homoepitaxial growth of 4H-SiC(0 3 (3)over-bar-8) and nitrogen doping by chemical vapor deposition |
| 著者: | Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Hirao, T Nakazawa, S Shiomi, H Matsunami, H |
| キーワード: | chemical vapor deposition vapor phase epitaxy semiconducting silicon compounds doping |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 249 |
| 号: | 1-2 |
| 開始ページ: | 208 |
| 終了ページ: | 215 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4860 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/S0022-0248(02)02098-5 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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