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| タイトル: | Interface properties of metal-oxide-semiconductor structures on 4H-SiC{0001} and (112(-)over-bar) formed by N2O oxidation |
| 著者: | Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Kanzaki, Y Noborio, M Kawano, H Matsunami, H |
| キーワード: | silicon carbide MOS interface oxidation MOSFET channel mobility non-basal plane |
| 発行日: | 2005 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS |
| 巻: | 44 |
| 号: | 3 |
| 開始ページ: | 1213 |
| 終了ページ: | 1218 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4861 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.44.1213 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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