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| タイトル: | Design and Fabrication of RESURF MOSFETs on 4H-SiC(0001), (1120), and 6H-SiC(0001) |
| 著者: | Kimoto, T Kosugi, H Suda, J Kanzaki, Y Matsunami, H |
| キーワード: | power device power MOSFET reduced surface field (RESURF) silicon carbide (SiC) |
| 発行日: | 2005 |
| 出版者: | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
| 誌名: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| 巻: | 52 |
| 号: | 1 |
| 開始ページ: | 112 |
| 終了ページ: | 117 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4863 |
| DOI(出版社版): | 10.1109/TED.2004.841358(410)52 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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