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| タイトル: | Performance limiting surface defects in SiC epitaxial p-n junction diodes |
| 著者: | Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Miyamoto, N Matsunami, H |
| キーワード: | carrier lifetime high-power device p-n diode silicon carbide surface recombination |
| 発行日: | 1999 |
| 出版者: | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
| 誌名: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| 巻: | 46 |
| 号: | 3 |
| 開始ページ: | 471 |
| 終了ページ: | 477 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4864 |
| DOI(出版社版): | 10.1109/16.748864 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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