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| タイトル: | Reduction of doping and trap concentrations in 4H-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition |
| 著者: | Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Nakazawa, S Hashimoto, K Matsunami, H |
| 発行日: | 2001 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | APPLIED PHYSICS LETTERS |
| 巻: | 79 |
| 号: | 17 |
| 開始ページ: | 2761 |
| 終了ページ: | 2763 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4866 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1413724 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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