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| タイトル: | Fast epitaxial growth of 4H-SiC by chimney-type vertical hot-wall chemical vapor deposition |
| 著者: | Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Tamura, S Chen, Y Fujihira, K Matsunami, H |
| キーワード: | silicon carbide chemical vapor deposition surface morphology deep level uniformity |
| 発行日: | 2001 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS |
| 巻: | 40 |
| 号: | 4B |
| 開始ページ: | L374 |
| 終了ページ: | L376 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/4867 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.40.L374 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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