ダウンロード数: 498
このアイテムのファイル:
| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_89_211907.pdf | 224.77 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Epitaxial growth and optical properties of semipolar (11(2)over-bar2) GaN and InGaN/GaN quantum wells on GaN bulk substrates |
| 著者: | Ueda, M Kojima, K Funato, M    https://orcid.org/0000-0002-5455-3757 (unconfirmed)Kawakami, Y https://orcid.org/0000-0003-3752-1507 (unconfirmed)Narukawa, Y Mukai, T |
| 発行日: | 20-Nov-2006 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | APPLIED PHYSICS LETTERS |
| 巻: | 89 |
| 号: | 21 |
| 論文番号: | 211907 |
| 著作権等: | Copyright 2006 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/50131 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.2397029 |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/89/211907 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。