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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
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| JApplPhys_101_053709.pdf | 86.14 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Impacts of growth parameters on deep levels in n-type 4H-SiC |
| 著者: | Danno, K Hori, T Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| 発行日: | 1-Mar-2007 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| 巻: | 101 |
| 号: | 5 |
| 論文番号: | 053709 |
| 著作権等: | Copyright 2007 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/50215 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.2437666 |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?jap/101/053709 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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