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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| JApplPhys_90_6487.pdf | 193.4 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Structural change in p-type porous silicon by thermal annealing |
| 著者: | Ogata, YH Yoshimi, N Yasuda, R Tsuboi, T Sakka, T    https://orcid.org/0000-0002-1892-8056 (unconfirmed)Otsuki, A |
| 発行日: | 15-Dec-2001 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| 巻: | 90 |
| 号: | 12 |
| 開始ページ: | 6487 |
| 終了ページ: | 6492 |
| 著作権等: | Copyright 2001 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/50429 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1416862 |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?jap/90/6487 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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