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タイトル: Power conversion with SiC devices at extremely high ambient temperatures
著者: Funaki, T  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0001-8776-5118 (unconfirmed)
Balda, JC
Junghans, J
Kashyap, AS
Mantooth, HA
Barlow, F
Kimoto, T  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
Hikihara, T  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-0029-4358 (unconfirmed)
発行日: Jul-2007
出版者: IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
誌名: IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
巻: 22
号: 4
開始ページ: 1321
終了ページ: 1329
著作権等: (c)2007 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE.
URI: http://hdl.handle.net/2433/50531
DOI(出版社版): 10.1109/TPEL.2007.900561
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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