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| タイトル: | Hetero-interface properties of SiO2/4H-SiC on various crystal orientations |
| 著者: | Matsunami, H Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Yano, H |
| キーワード: | silicon carbide SiO2/4H-SiC interface C-V characteristics conductance method channel mobility |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG |
| 誌名: | IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS |
| 巻: | E86C |
| 号: | 10 |
| 開始ページ: | 1943 |
| 終了ページ: | 1948 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/5552 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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