Defect and electronic structure of TiSi2 thin films produced by co-sputterings. Part II: Chemical bonding and electron energy-loss near-edge structures

このアイテムのアクセス数: 0

http://hdl.handle.net/2433/5770

このアイテムのファイル:

このアイテムに関連するファイルはありません。

タイトル:	Defect and electronic structure of TiSi2 thin films produced by co-sputterings. Part II: Chemical bonding and electron energy-loss near-edge structures
著者:	Mizoguchi, T Tanaka, I https://orcid.org/0000-0002-4616-118X (unconfirmed) Mizuno, M Adachi, H Hashimoto, T Inui, H https://orcid.org/0000-0003-0835-6725 (unconfirmed) Yamaguchi, M
キーワード:	ab initio calculation electron energy loss spectroscopy (EELS) transmission electron microscopy (TEM) phase transformations transition-metal disilicide
発行日:	2001
出版者:	PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
誌名:	ACTA MATERIALIA
巻:	49
号:	12
開始ページ:	2321
終了ページ:	2328
URI:	http://hdl.handle.net/2433/5770
DOI(出版社版):	10.1016/S1359-6454(01)00138-0
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。