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タイトル: | Surface segregation of Ge during Si growth on Ge/Si(001) at low temperature observed by high-resolution RBS |
著者: | Nakajima, K ![]() ![]() ![]() Hosaka, N Hattori, T Kimura, K ![]() |
キーワード: | delta doping surface segregation high-resolution RBS Si(001) germanium |
発行日: | 2002 |
出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
誌名: | NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS |
巻: | 190 |
開始ページ: | 587 |
終了ページ: | 591 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/6116 |
DOI(出版社版): | 10.1016/S0168-583X(01)01257-5 |
リンク: | Web of Science |
出現コレクション: | 英文論文データベース |

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