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| タイトル: | High-sensitivity analysis of Z(1) center concentration in 4H-SiC grown by horizontal cold-wall chemical vapor deposition |
| 著者: | Nakamura, S Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | silicon carbide (SiC) chemical vapor deposition (CVD) deep-level transient spectroscopy (DLTS) deep-level transient Fourier spectroscopy (DLTFS) Z(1) center |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS |
| 巻: | 41 |
| 号: | 5A |
| 開始ページ: | 2987 |
| 終了ページ: | 2988 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6145 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.41.2987 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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