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| タイトル: | Homoepitaxy of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) faces by chemical vapor deposition Part I: Effect of C/Si ratio on wide-area homoepitaxy without 3C-SiC inclusions |
| 著者: | Nakamura, S Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | surface structure chemical vapor deposition processes semiconducting silicon compounds |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 256 |
| 号: | 3-4 |
| 開始ページ: | 341 |
| 終了ページ: | 346 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6146 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/S0022-0248(03)01385-X |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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