ダウンロード数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
| タイトル: | Homoepitaxy of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) faces by chemical vapor deposition Part II: Evolution of surface steps |
| 著者: | Nakamura, S Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | surface structure chemical vapor deposition processes semiconducting silicon compounds |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 256 |
| 号: | 3-4 |
| 開始ページ: | 347 |
| 終了ページ: | 351 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6147 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/S0022-0248(03)01386-1 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。