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| タイトル: | High-purity 4H-SiC epitaxial growth by hot-wall chemical vapor deposition |
| 著者: | Nakazawa, S Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Hashimoto, K Matsunami, H |
| キーワード: | chemical vapor deposition vapor phase epitaxy silicon carbide semiconducting silicon compounds power devices |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 237 |
| 開始ページ: | 1213 |
| 終了ページ: | 1218 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6271 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/S0022-0248(01)02174-1 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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