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| タイトル: | Electrical activation of high-concentration aluminum implanted in 4H-SiC |
| 著者: | Negoro, Y Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H Schmid, F Pensl, G |
| 発行日: | 2004 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| 巻: | 96 |
| 号: | 9 |
| 開始ページ: | 4916 |
| 終了ページ: | 4922 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6283 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1796518 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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