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| タイトル: | Avalanche phenomena in 4H-SiC p-n diodes fabricated by aluminum or boron implantation |
| 著者: | Negoro, Y Miyamoto, N Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | avalanche breakdown ion implantation p-n diode SiC silicon carbide |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
| 誌名: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| 巻: | 49 |
| 号: | 9 |
| 開始ページ: | 1505 |
| 終了ページ: | 1510 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6284 |
| DOI(出版社版): | 10.1109/TED.2002.802637 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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