Remarkable lattice recovery and low sheet resistance of phosphorus-implanted 4H-SiC (11(2)over-bar0)

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http://hdl.handle.net/2433/6285

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タイトル:	Remarkable lattice recovery and low sheet resistance of phosphorus-implanted 4H-SiC (11(2)over-bar0)
著者:	Negoro, Y Miyamoto, N Kimoto, T https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) Matsunami, H
発行日:	2002
出版者:	AMER INST PHYSICS
誌名:	APPLIED PHYSICS LETTERS
巻:	80
号:	2
開始ページ:	240
終了ページ:	242
URI:	http://hdl.handle.net/2433/6285
DOI(出版社版):	10.1063/1.1432745
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

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