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| タイトル: | Experimental and theoretical investigations on short-channel effects in 4H-SiC MOSFETs |
| 著者: | Noborio, M Kanzaki, Y Suda, J Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| キーワード: | device simulation MOSFET short-channel effect (SCE) silicon carbide (SiC) |
| 発行日: | 2005 |
| 出版者: | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
| 誌名: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| 巻: | 52 |
| 号: | 9 |
| 開始ページ: | 1954 |
| 終了ページ: | 1962 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6375 |
| DOI(出版社版): | 10.1109/TED.2005.854269 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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