Quality of SiO2 and of SiGe formed by oxidation of Si/Si0.7Ge0.3 heterostructure using atomic oxygen at 400 degrees C

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http://hdl.handle.net/2433/6393

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タイトル:	Quality of SiO2 and of SiGe formed by oxidation of Si/Si0.7Ge0.3 heterostructure using atomic oxygen at 400 degrees C
著者:	Nohira, H Kuroiwa, T Nakamura, A Hirose, Y Hirose, Y Mitsui, J Sakai, W Nakajima, K https://orcid.org/0000-0002-5390-1262 (unconfirmed) Suzuki, M https://orcid.org/0000-0002-6473-9141 (unconfirmed) Kimura, K Sawano, K Nakagawa, K Shiraki, Y Hattori, T
キーワード:	angle-resolved photoelectron spectroscopy Rutherford back scattering depth profiling SiO2/Si interface
発行日:	2004
出版者:	ELSEVIER SCIENCE BV
誌名:	APPLIED SURFACE SCIENCE
巻:	237
号:	1-4
開始ページ:	134
終了ページ:	138
URI:	http://hdl.handle.net/2433/6393
DOI(出版社版):	10.1016/j.apsusc.2004.06.042
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

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