Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La2O3/Si(100) interfacial transition layer

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http://hdl.handle.net/2433/6394

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タイトル:	Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La2O3/Si(100) interfacial transition layer
著者:	Nohira, H Shiraishi, T Takahashi, K Hattori, T Kashiwagi, I Ohshima, C Ohmi, S Iwai, H Joumori, S Nakajima, K https://orcid.org/0000-0002-5390-1262 (unconfirmed) Suzuki, M https://orcid.org/0000-0002-6473-9141 (unconfirmed) Kimura, K
キーワード:	Rutherford back scattering angle-resolved photoelectron spectroscopy high-k dielectrics depth profiling electronic band structure La2O3
発行日:	2004
出版者:	ELSEVIER SCIENCE BV
誌名:	APPLIED SURFACE SCIENCE
巻:	234
号:	1-4
開始ページ:	493
終了ページ:	496
URI:	http://hdl.handle.net/2433/6394
DOI(出版社版):	10.1016/j.apsusc.2004.05.032
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

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