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タイトル: The role of growth rates and buffer layer structures for quality improvement of cubic GaN grown on GaAs
著者: Ogawa, M
Funato, M  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-5455-3757 (unconfirmed)
Ishido, T
Fujita, S
Fujita, S
キーワード: cubic GaN
GaAs substrate
MOVPE
growth rate
buffer layer structure
発行日: 2000
出版者: JAPAN J APPLIED PHYSICS
誌名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
巻: 39
号: 2A
開始ページ: L69
終了ページ: L72
URI: http://hdl.handle.net/2433/6532
DOI(出版社版): 10.1143/JJAP.39.L69
リンク: Web of Science
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