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| タイトル: | Crystallographic defects under device-killing surface faults in a homoepitaxially grown film of SiC |
| 著者: | Okada, T Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Yamai, K Matsunami, H Inoko, F |
| キーワード: | silicon carbide (SiC) polytype homoepitaxy surface morphological fault transmission electron microscopy (TEM) stacking fault (SF) |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE SA |
| 誌名: | MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING |
| 巻: | 361 |
| 号: | 1-2 |
| 開始ページ: | 67 |
| 終了ページ: | 74 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6667 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/S0921-5093(03)00520-3 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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