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| タイトル: | Defect formation in (0001)- and (1120)-oriented 4H-SiC crystals P+-Implanted at room temperature |
| 著者: | Okada, T Negoro, Y Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Okamoto, K Kujime, N Tanaka, N Matsunami, H |
| キーワード: | 4H-SiC phosphorous ion implantation amorphization recrystallization transmission electron microscopy |
| 発行日: | 2004 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS |
| 巻: | 43 |
| 号: | 10 |
| 開始ページ: | 6884 |
| 終了ページ: | 6889 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6668 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.43.6884 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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