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| タイトル: | Fast homoepitaxial growth of 4H-SiC with low basal-plane dislocation density and low trap concentration by hot-wall chemical vapor deposition |
| 著者: | Hori, Tsutomu Danno, Katsunori Kimoto, Tsunenobu    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| キーワード: | hot-wall epitaxy vapor phase epitaxy semiconducting materials |
| 発行日: | 2007 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 306 |
| 号: | 2 |
| 開始ページ: | 297 |
| 終了ページ: | 302 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/67209 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/j.jcrysgro.2007.05.009 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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