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| タイトル: | Abnormal out-diffusion of epitaxially doped boron in 4H-SiC caused by implantation and annealing |
| 著者: | Negoro, Yuki Kimoto, Tsunenobu    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, Hiroyuki Pensl, Gerhard |
| キーワード: | silicon carbide SiC implantation annealing diffusion kick out |
| 発行日: | 2007 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS |
| 巻: | 46 |
| 号: | 8A |
| 開始ページ: | 5053 |
| 終了ページ: | 5056 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/67210 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.46.5053 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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