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| タイトル: | Power conversion with SiC devices at extremely high ambient temperatures |
| 著者: | Funaki, Tsuyoshi   https://orcid.org/0000-0001-8776-5118 (unconfirmed)Balda, Juan Carlos Junghans, Jeremy Kashyap, Avinash S. Mantooth, H. Alan Barlow, Fred Kimoto, Tsunenobu  https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Hikihara, Takashi https://orcid.org/0000-0002-0029-4358 (unconfirmed) |
| キーワード: | dc-dc converter circuit device characterization high temperature operation packaging silicon carbide (SiQ device |
| 発行日: | 2007 |
| 出版者: | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
| 誌名: | IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS |
| 巻: | 22 |
| 号: | 4 |
| 開始ページ: | 1321 |
| 終了ページ: | 1329 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/67212 |
| DOI(出版社版): | 10.1109/TPEL.2007.900561 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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