このアイテムのアクセス数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
| タイトル: | Topographic study of dislocation structure in hexagonal SiC single crystals with low dislocation density |
| 著者: | Nakamura, Daisuke Yamaguchi, Satoshi Gunjishima, Itaru Hirose, Yoshiharu Kimoto, Tsunenobu    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| キーワード: | X-ray topography growth from vapor semiconducting silicon compounds |
| 発行日: | 2007 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 304 |
| 号: | 1 |
| 開始ページ: | 57 |
| 終了ページ: | 63 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/67213 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/j.jcrysgro.2007.02.002 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。