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タイトル: Deep level transient spectroscopy study of defects in hydrogen implanted p-type 4H-SiC
著者: Alfieri, Giovanni
Kimoto, Tsunenobu  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
発行日: 2007
出版者: AMER INST PHYSICS
誌名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
巻: 101
号: 10
論文番号: 103716
URI: http://hdl.handle.net/2433/67215
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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