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| タイトル: | A comparative study of nonpolar a-plane and m-plane AlN grown on 4H-SiC by plasma-assisted molecular-beam epitaxy |
| 著者: | Suda, J.  Horita, M. Armitage, R. Kimoto, T.   https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| キーワード: | dislocation stacking fault AlN nonpolar polytype SiC |
| 発行日: | 2007 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 301 |
| 開始ページ: | 410 |
| 終了ページ: | 413 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/67217 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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