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タイトル: Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN, InN, and AlGaN using 1,1-dimethylhydrazine as a nitrogen source
著者: Funato, Mitsuru  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-5455-3757 (unconfirmed)
Ujita, Shinji
Kawakami, Yoichi  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0003-3752-1507 (unconfirmed)
キーワード: 1,1-dimethylhydrazine
MOVPE
GaN
InN
AlGaN
発行日: 2007
出版者: INST PURE APPLIED PHYSICS
誌名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
巻: 46
号: 10A
開始ページ: 6767
終了ページ: 6772
URI: http://hdl.handle.net/2433/67222
DOI(出版社版): 10.1143/JJAP.46.6767
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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